1 Задание:
Построить математическую модель диффузионного процесса в форме краевой задачи и выписать ее аналитическое решение.
Подложка: КЭФ-7,5
Вводимая примесь: Бор
Тип источника: Ограниченный
Температура процесса: 1150 цельсия
Время процесса: 60 (мин)
Дополнительные условия: Доза легирования равна 10^15 см^-2
Используя необходимые дополнительные справочные данные получить оцифрованную модель профилей легирующих примесей в кремниевой пластине и построить графики профилей в среде Mathcad. Определить следующие параметры структуры и процесса:
– поверхностную концентрацию вводимой примеси;
– коэффициент диффузии вводимой примеси;
– концентрацию примеси в подложке;
– глубину p-n-перехода;
– время диффузии, необходимое для получения глубины p-n-перехода, равной 10 мкм.
2 Задание: Диффузионные процессы-2 Предполагая, что профиль легирования диффузионного p-n-перехода описывается гауссовым распределением построить модель расчета поверхностного сопротивления Rs.
Зависимостью подвижности электронов и дырок от глубины пренебречь, считая, что подвижность равна половине от максимальной подвижности.
В среде Mathcad написать проект, позволяющий строить зависимость поверхностного сопротивления Rs от двух переменных:
- глубины p-n-перехода xj;
- поверхностной концентрации примеси.
Для своего задания вычислить величину Rs.
3 Задание: Процессы термического окисления кремния: Кремниевая пластина покрывается слоем двуокиси кремния толщиной Dox1 нм. Постройте математическую модель, позволяющую определить время для выращивания еще Dox2 нм, если параметры процесса заданы в табл. 2. Исходная толщина двуокиси кремния (нм) – Dox1: 100 Добавочная толщина двуокиси кремния (нм) – Dox2: 200 Температура процесса (ºС) : 1000 Атмосфера окисления: влажный О2
4 Задание: Корень нелинейного уравнения f(x)=0 считается локализованным, если найден интервал [a,b], на концах которого функция f(x) принимает противоположные значения, т.е. f(a)*f(b)
Тип: Решение задач
Предмет: Микроэлектроника
Физические основы микроэлектроники 2 задачи
Стоимость: 339,5 руб.
Тип: Решение задач
Предмет: Микроэлектроника
САПР Quartus. Разработка устройства на ПЛИС
Стоимость: 427 руб.
Тип: Решение задач
Предмет: Микроэлектроника
физические основы микроэлектронники
Стоимость: 385 руб.
Тип: Решение задач
Предмет: Микроэлектроника
Задачи по микроэлектроники и схемотехники
Стоимость: 402,5 руб.
Заключение магистерской диссертации – это финал работы, в рамках которой вы проводили исследовательскую деятельность. Именно здесь автор подытоживает, чего ему удалось добиться своим трудом.Писать саму диссертацию – работа сложная и долгая. На нашем можно найти массу полезной информации о подводны…
Читать дальшеОформление диплома – такая же кропотливая работа, как и его написание. Неправильное оформление может сильно подпортить вам и жизнь, и репутацию. О том, как это происходит, вы можете почитать на нашем . Чтобы этого не произошло, мы хотим показать вам, как правильно оформлять важные составные части д…
Читать дальше